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          6. 柵極電阻,柵源電阻知識介紹
            • 發布時間:2021-07-16 17:47:14
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            柵極電阻,柵源電阻知識介紹
            一、柵極電阻
            柵極電阻,柵源電阻
            H橋的mos管柵極電阻
            1.減緩Rds從無窮大到Rds(on)(一般0.1歐姆或者更低)。
            2.若不加R39電阻,高壓情況下便會因為mos管開關速率過快而導致周圍元器件被擊穿。但R39電阻過大則會導致MOS管的開關速率變慢,Rds從無窮大到Rds(on)的需要經過一段時間,高壓下Rds會消耗大量的功率,而導致mos管發熱異常。
            如果沒有柵極電阻,或者電阻阻值太小
            MOS導通速度過快,高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
            柵極電阻阻值過大
            MOS管導通時,Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時,MOS管導通速度過慢,即Rds的減小要經過一段時間,高壓時Rds會消耗大量功率,導致MOS管發燙。過于頻繁地導通會使熱量來不及發散,MOS溫度迅速身高。
            二、柵源電阻
            1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電,防止mos管產生誤動作,甚至擊穿mos管(因為只要有少量的靜電便會使mos管的G-S極間的等效電容產生很高的電壓),起到了保護mos管的作用。
            保護柵極G-源極S:場效應管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產生很高的電壓,如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場效應管產生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護場效應管的作用。
            2.為mos管提供偏置電壓,即不使柵極電壓懸空,導致mos管被誤導通。
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